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青木 孝(あおき たかし)

 
職名 教務技術職員・修士(理学)
担当科目 物理学実験Ⅰ・Ⅱ・Ⅲ
基礎物理学実験法
専門分野 数値シミュレーション
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主要著書、論文

「キャリヤ生成結合項がn-MOSデバイスの数値シミュレーション上に及ぼす影響と問題点」,1994,情報処理学会研究報告94-HPC-54-4,青木孝,村田健郎
「n-MOSデバイス数値シミュレーションの基本技法」,1995,神奈川大学大学院理学研究科修士論文, 青木孝

略歴

1957年東京都生まれ,1980年茨城大学理学部物理学科卒業,同年日立マイコンシステム入社と同時に、日立製作所システム開発研究所に勤務,1985年子育てのため同社を退職,1987年神奈川情報通信専門学校専任講師,1995年神奈川大学理学研究科情報科学専攻修士課程修了(村田健郎研究室),同年、理学部情報科学科教務技術職員となり現在に至る

研究内容について

電子、正孔の2キャリヤn-MOSデバイスモデルにおける数値シミュレーションの基本技法について研究している。特に、cpu時間の短縮とメモリの節約という観点から実用的なシミュレーションの方法を、精度に留意しながら検討している。これまでの論文では、シミュレーション結果の精度と離散化の精しさなどとを定量的に関係づけてはいなかった。ドレイン電圧5.5[V]、ゲート電圧3[V]の場合のドレイン電子電流のシミュレーション結果を得るのに、シミュレーション場を17万元に離散化すると所要メモリで88Mbyte、HITAC-M680dIAPつきで328分のcpu時間を必要とする。シミュレーション結果の精度という観点からは、この程度の場の設定はほしいが、実用上は、3%の結果誤差となる離散化4万元、所要メモリ24Mbyte、cpu時間47分でがまんする。現在は、Enhanced drift-diffusion modelについて検討している。

 
 
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