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星野 靖(ほしの やすし)

 
職名 特別助教・博士(理学)
担当科目 基礎物理学実験法
数物ゼミナール
総合理学研究Ⅰ・Ⅱ
卒業研究Ⅰ・Ⅱ
物理学実験Ⅰ・Ⅱ
輪講Ⅰ・Ⅱ
専門分野 表面科学,量子ビーム科学,半導体物理学
ホームページ 中田研究室
 

主要著書、論文

「Characterization and control of HfO2/Si(001) interfaces」 Y. Hoshino, et al., Appl. Phys. Lett. 81, pp.2650-2652 (September 2002).
「Dynamical response of target electrons on elastic scattering cross sections for heavy-ion impact on a high-Z atom」 Y. Hoshino and Y. Kido, Phys. Rev. A 68, pp.012718/1-5 (July 2003).
「Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature」 Y. Hoshino et al., Phys. Rev. B 69, pp.155303/1-7 (April 2004).
「Oxidized surface structure and oxidation kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1) -2×2 surface」 Y. Hoshino et al., Phys. Rev. B 70, pp.165303/1-6 (October 2004).
「Atomic and electronic structures of ultrathin Ni-deposited SiC(000-1) 2×2 surface」 Y. Hoshino et al., Phys. Rev. B 72, pp.235416/1-9 (December 2005).
「Growth of SiO2 on SiC by dry thermal oxidation : Mechanisms」 I. Vickridge, J. -J. Ganem, Y. Hoshino, I. Trimaille, J. Phys. D 40, pp.6254-6263 (October, 2007).
「The phase and electronic structure of Au/Si(111) determined by high-resolution ion scattering coupled with photoelectron spectroscopy」 Y. Hoshino et al., Surf. Sci. 602, pp 2089-95 (June, 2008).
「Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing」 A. Pongraz, Y. Hoshino , G.Battistig, M.D’Angelo, C.Deville, J.-J.Ganem, I.Trimaille, and I. Vickridge, J. Appl. Phys. 106 (2009) 024302/1-5.
「Interdiffusion analysis of Au/Ti and Au/Pt/Ti electrode structures grown on diamond (001) surface by RBS method」
Yasushi Hoshino, Yasunao Saito and Jyoji Nakata
Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 105102/1-5
「Characterization of hot-implanted Fe near the SiO2/Si interface」
Yasushi Hoshino, Hiroki Arima, Yasunao Saito, and Jyoji Nakata
Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 035601/1-5.

略歴

1999年立命館大学理工学部数学物理学科卒業, 2001年立命館大学大学院理工学研究科物質理工学専攻博士前期課程修了, 2003年立命館大学大学院理工学研究科総合理工学専攻博士後期課程短縮修了, 日本学術振興会特別研究員(2004-2005年:京都大学・工学研究科, 2005-2007年フランスパリ第6大学), 2007年立命館大学ポストドクトラルフェロー, 2008年より神奈川大学理学部情報科学科特別助手。2011年より特別助教。

研究テーマ

― 広い意味での実験物理 ―
1. 表面・界面の科学
2. ナノ領域の科学
3. イオンと固体表面の相互作用

研究内容について

固体表面(広い意味では”気相‐固相界面”)や界面は、一般にバルク(固体内部・母体)と異なる低次元特有の構造や物性を発現することが知られています。表面科学分野は、近年のナノテクノロジーの発展とともに、原子構造や電子物性の研究に加え、機能性・化学反応性の解明や原子マニピュレーションなど、最も注目を浴びている分野の一つとなっています。私は、主に量子ビーム(イオン、電子、光など)を用いて、固体表面や界面で起こる様々な物理的・化学的な特異現象に着目して研究してきました。また計算機シミュレーションを用いた理論的なアプローチによる物理現象の解明も合わせて行っています。現在は、ナノスケール領域における科学に興味を持って研究を進めています。

研究室紹介

現在は、中田研究室とともに研究を進めています。
実験装置としては、
1) 中電流型イオン注入装置 (ターミナル:200 kV)
2) ラザフォード後方散乱・核反応分析装置 (タンデム型イオン加速器:ターミナル1 MV)
3) 走査トンネル電子顕微鏡
4) 原子間力顕微鏡
5) マイクロ波プラズマCVD装置、熱CVD装置
6) ホール効果測定装置
7) カソード・フォトルミネッセンス分光装置
などを保有し、試料作製から分析まで充実した研究ができます。

 
 
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