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水野 智久(みずの ともひさ)

 
職名 教授・工学博士
担当科目 機器分析演習
基礎物理学実験法
基盤科学特論Ⅰ
数物ゼミナール
数理・物理学研究法
総合理学研究Ⅰ・Ⅱ
卒業研究Ⅰ・Ⅱ
半導体物理学
物理学実験Ⅰ・Ⅱ
輪講Ⅰ・Ⅱ
FYS
専門分野 半導体物理・工学
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「神大の研究室」 [物理コース] 水野 智久 研究室
 

主要著書、論文

1."Experimental Study of Threshold Voltage Fluctuation due to Statistical Variation of Channel Doping Number in MOSFET's", IEEE Trans. Electron Devices, ED-41, 2216 (1994).
2. "Experimental Study of Non-Stationary Electron Transport in Sub-0.1 mm Metal-Oxide-Silicon Devices - Velocity Overshoot and Its Degradation Mechanism - ", J. Appl. Phys., 82, 5235 (1997).
3. "High Performance strained-SOI CMOS Devices using Thin Film SiGe-on-Insulator Technology", IEEE Trans. Electron Devices, ED-50, 988 (2003).
4. "(110)-Surface Strained-SOI CMOS Devices", IEEE Trans. Electron Devices, ED-52, 367 (2005).
5. "High-Speed Source-Heterojunction-MOS-Transistor (SHOT) utilizing High-Velocity Electron Injection", IEEE Trans. Electron Devices, ED-52, 2690 (2005).

略歴

1955年岐阜県生まれ,1979年名古屋大学理学部物理学科卒業,1982年名古屋大学大学院理学研究科宇宙理学専攻博士課程後期中退,1982年東芝入社,半導体技術研究所研究員を経て、研究開発センター主任研究員,2001年より半導体MIRAIプロジェクト主任研究員兼務,2004年3月東芝退社、2004年4月より現職

研究テーマ

ULSI開発、微細CMOS開発に従事。微細CMOSを用いたSi半導体中における電子輸送現象の研究(ホットキャリア現象、統計的な特性ゆらぎ、非定常輸送効果による電子速度オーバーシュート)にも従事。最近では、Si格子定数の変調技術を用いた、高速CMOS素子開発を行った。今後は、ナノテクを用いてSi半導体素子の限界(半導体によるスイッチングの微細化限界と、バリスティック伝導)の研究を始め、幅広い半導体研究等を行っていきたい。

 
 
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